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厂商型号

2SA2039-E 

产品描述

TRANS PNP BIPO 5A 50V TP

内部编号

277-2SA2039-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1500
500+¥2.906
1000+¥2.422
最小起订量:500
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:221000
1+¥3.082
25+¥2.8508
100+¥2.6967
500+¥2.6197
1000+¥2.4656
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:221000
1+¥3.082
25+¥2.8508
100+¥2.6967
500+¥2.6197
1000+¥2.4656
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA2039-E产品详细规格

规格书 2SA2039-E datasheet 规格书
2SA2039/2SC5706
2SA2039-E datasheet 规格书
标准包装 500
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 430mV @ 100mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 800mW
频率转换 360MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装 TP
包装材料 Bulk
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 360MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 430mV @ 100mA, 2A
标准包装 500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TP
封装 Bulk
功率 - 最大 800mW
封装/外壳 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 500mA, 2V
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 0.8 W
直流集电极/增益hfe最小值 200 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 Through Hole
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 5 A
工厂包装数量 500
系列 2SA2039
Pd - Power Dissipation 0.8 W
品牌 ON Semiconductor

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